3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기
What is TFT?
TFT( Thin Film Transistor 박막 트랜지스터 )
최신 신재료 TFT를 소개하기전에 기존의 TFT를 간단히 소개하자면
Tin File Transistor 박막트랜지스터라고 합니다. 능동 매트릭스형 액정의 하나로 액정 표시장치 (LCD)의 픽셀을 박막 트랜지스터(TFT)로 제어합니다 기존 브라운관 (CRT)에 비해 화면의 흐트러
TFT로의 응용이 활발히 연구되고 있다.
Swing은 transfer curve의 subthreshold영역에서 다음과 같
이 정의된다.
Swing값은 transfer curve의 sub-threshold 영역에 10배의
drain current를 변하게 하기 위해 필요한 gate voltage의
증가량이다. 이 swing값은 sub-threshold영역에서 Vgs의
값에 따라 얼마나 급격히 drain current가
1. 개요 : 개요와 목적
최근의 다양한 스마트 기기의 발전과 더불어 화면표시 기술, 즉 디스플레이 테크놀러지가 각광 받고 있다. 이는 디스플레이 기술이 단순히 고객에게 보여주는 시각적인 부분이 뿐 아니라, 기기 자체의 성능(화질, 응답속도, 배터리 소모량 등)과 제품 단가(생산 공정단가 등)를
Oxide ; 인듐 주석 산화물)
ITO란 전기를 잘 통하면서도 투명한 성질을 가진 물질이며 빛을 내기 위해서는 두개의 전극으로 빛나는 물질을 연결해 주어야 하는데 빛이 나지 않는 쪽에는 알루미늄이나 칼슘, 마그네슘과 같은 전극을 연결해 주면되지만 빛이 나는 쪽에는 투명한 전극이 반드시 필요하게 되
TFT-LCD에서 고화질의 표시화면을 얻기 위해서는 개구율의 향상이 우선적이며, 이에 따라, 종래에는 LCD의 개구율을 향상시키기 위한 방법으로서, 화소 전극이라 불리우는 투명 금속으로 이루어진 ITO(Indium Tin Oxide)전극을 화소 영역 전체에 걸쳐서 배치시키는 구조가 제안되었다.
그러나, 종래 유기 절연
1 서론
OLED는 현재 차세대 디스플레이 소자로 각광을 받고 있다. OLED의 경우 공정이 쉽고 공정 가격이 싸기 때문에 가격적이 면에서도 유리하다. 또한 특성이 좋고 organic물질의 경우 flexible한 장점을 가지고 있어서 나중에 flexible display로서의 가능성을 가질 수 있다. 그래서 OLED의 기술 개발이 필요하다
따라 물질의 광학적 성질이 다른 것)
[ A-Si TFT 의 동작방식과 구조, 공정 ] 일부 발췌 요약
o 비정질 실리콘(amorphous Si)
- 이웃하는 4개의 다른 Si와 고유결합
- 수소원자를 연결하여 비정질 실리콘 (a-Si:H)생성
- a-Si:H : 직접반도체
- 증착용이
- 저온증착가능
- TFT공정의 유연성
(중략)